韩国央行下场唱多芯片超级周期，却未能阻止韩国“存储双雄”股价下跌。
7月13日，韩国央行发布报告称，全球半导体市场仍供不应求，预计当前由人工智能驱动的超级周期还将持续一段时间，试图打消投资者对芯片周期已见顶的担忧。
韩国央行在报告中表示，AI基础设施投资大幅推高了半导体需求，但供应扩张步伐依然缓慢，所以半导体行业周期尚未出现放缓迹象。而且本轮芯片周期与以往不同，其驱动力是各大企业竞相投资，这些投资是基于对AI普及将引发产业生态系统根本性变革的预期。
虽然韩国央行刚刚给市场吃下定心丸，但投资者的担忧并未消散，包括企业举债推进AI基建、行业估值已在高位、存储芯片过剩的拐点似乎就在眼前等。忧虑集中爆发，致使近期全球科技股承压下行。
7月13日，韩国综合指数报收6806.93点，下跌8.95%。韩国两大存储巨头——SK海力士和三星电子股价也齐现暴跌。其中，SK海力士收盘暴跌15.37%，创最大跌幅纪录。芯片市场仍供不应求，芯片股为何逆势跳水？尽管SK海力士希望通过HBM将内存故事讲成“定制化解决方案”，但机构警告称，内存终究是周期性商品。一个核心问题由此浮现：AI时代，存储芯片能否真正挣脱其周期属性？
7月初，元宇宙公司（Meta）被曝计划向外部客户出售过剩AI算力，该消息迅速引发市场对AI基础设施供需关系的重新评估。就在外界普遍担忧算力过剩、质疑AI硬件投资逻辑是否破裂之际，韩国央行试图通过一份报告打消市场的忧虑。
韩国央行在报告中指出，本轮芯片周期的核心推力并非传统的供需波动，而是各大企业为了抢占先机而加码投资，只因业界判断AI普及将改写产业生态格局。更重要的是，当前市场以高带宽存储器（HBM）等定制化芯片产品为主，产能扩张的约束条件比以往更多。全球半导体市场的增长扩张态势预计还将维持相当长一段时间。
韩国央行在报告中并未回避AI行业发展所面临的多重不确定性，包括技术普及节奏、应用覆盖广度及商业化盈利前景等。尽管如此，该行仍与摩根大通、高盛等主要投行保持一致的判断，即全球半导体市场的高景气状态至少会延续至明年。
无独有偶，在登陆纳斯达克的第一天，SK海力士的首席执行官郭鲁正就抛出一则重磅预判：全球存储行业很可能在2027年迎来史上最为严峻的供给缺口。他表示，尽管公司正积极扩充产能，但他预计，存储芯片需求仍将持续超过公司的生产能力，并一直延续到2030年以后。
SK海力士在美上市的招股书中，有着明确的扩产计划。招股文件提到，公司在2025年10月在韩国清州市扩建新晶圆厂“M15X”无尘车间，M15X厂房已在2026年第一季度启动晶圆投料。公司还计划在韩国龙仁市打造产业园区，并在清州市建设先进封装工厂“P&T7”。2024年12月，公司还在美国印第安纳州新建一座先进封装工厂，预计2028年下半年投产。
存储芯片巨头美光科技也正在加速其在美国的晶圆厂和技术投资计划，并将到2035年的预计支出从此前规划的2000亿美元提升至超过2500亿美元，包括在美国爱达荷州稳步推进两座晶圆厂建设，在弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂启动DDR4存储工艺的量产工作等。
存储巨头纷纷加码扩产，明年的“缺芯潮”能否得到化解？法国里昂商学院管理实践教授李徽徽向21世纪经济报道记者表示，扩产不能仅凭投资金额来判断，更不宜将厂房竣工等同于可销售产能。从EUV设备进场、工艺导入、首片晶圆下线，到良率爬坡、封装测试及客户认证，整套流程串联下来，绿地工厂通常需要两至三年才能实现量产。目前，相对较快的增量主要来自现有厂区的产能挖潜，如SK海力士M15X项目。美光方面，其新加坡HBM封装项目、爱达荷州ID1工厂预计将从2027年上半年至年中陆续贡献产出；SK海力士龙仁新厂则需等到2027年下半年才能完成建设，三星平泽P5工厂的投产时间更晚，预计在2028年之后。
李徽徽表示：“就此来看，存储芯片供给端明显缓解或要等到2028年，过剩风险窗口或出现在2028年下半年至2029年。”
对外经济贸易大学金砖国家研究中心副主任谭娅则向21世纪经济报道记者表示，AI存储芯片的投产周期约为两年，2027年为预期释放节点，若今年追加投资，2028年产能将进一步扩大。虽然AI基建扩张确实产生了强劲的存储芯片需求，但其整体趋势受到供给侧影响，当前各经济体正在加速构建自身AI产业链的自主供给能力，这一变量同样值得关注。
有受访专家认为，接下来芯片市场供不应求的局面或只存在于特定的存储芯片产品。李徽徽认为，所谓的“芯荒”不应被简单理解为所有芯片的普遍短缺，明年最为紧缺的可能集中在HBM、服务器DDR5、高容量RDIMM以及合格的先进封装产能等领域。
中关村信息消费联盟理事长项立刚也向21世纪经济报道记者表示，韩国央行和半导体企业认为芯片市场会供不应求，更多是为了维护存储芯片企业的股价，“除人工智能所需的高速芯片HBM等先进封装产能在一定程度上供不应求外，绝大部分传统芯片或不存在实质性的供应短缺。”
7月13日，三星电子和SK海力士在韩国市场的股价集体跳水引发市场关注。
当日，三星电子收盘下跌10.7%，而SK海力士收盘下跌15.37%，创最大跌幅纪录，总市值跌破9000亿美元。上周，SK海力士才刚以12.8%的涨幅完成在美国纳斯达克上市的首秀，转头就在韩国股市遭遇暴跌。市场分析将原因归结为投资者获利了结，以及SK海力士今年第二季度的营业利润预测将略低于市场预期。
“这并非存储芯片短缺逻辑的突然反转，而是产业景气与股价预期之间发生了错位。”李徽徽分析称，在SK海力士赴美上市之前的一年里，SK海力士韩国本股已累计上涨约630%，随后股价下跌，既有对HBM紧缺以及赴美上市等利好因素的兑现，也与HBM4在二季度出货未能如期放量、公司因HBM敞口较高而较少受益于通用DRAM涨价等因素有关。
值得注意的是，韩国本土券商韩国投资证券（KIS）发布的SK海力士第二季度业绩预测报告，被视为海力士股价大跌的导火索。该行预测，SK海力士第二季度营收为80.9万亿韩元，营业利润为60.4万亿韩元，分别环比增长54%和61%，同比增幅更是达到264%和556%。尽管KIS对SK海力士二季度业绩的预测颇为亮眼，但该行给出的营业利润预测较65万亿韩元的市场共识预期低约8%，引爆了投资者的担忧情绪。
祸兮福之所倚，福兮祸之所伏。SK海力士在美上市风光无两，但聚光灯的另一面，是市场更严厉的审视目光。李徽徽认为，营业利润较市场预期低约8%并不代表需求走弱，其根源在于HBM合同价格的滞后性。HBM通常采用年度或三至五年长期协议（LTA）定价，无法与通用存储芯片同步跟涨。今年一季度，HBM每片晶圆带来的收入和利润，已经比不上64GB DDR5 RDIMM这类普通内存条了。这就造成一个尴尬的局面：SK海力士将更多稀缺晶圆产能用于生产HBM，但短期内每片晶圆赚到的钱反而落后于通用DRAM。
李徽徽表示，接下来SK海力士股价的走向还取决于两方面因素。一是今年第三季度的HBM4能否如期放量；二是2027年长期协议（LTA）合同重新定价。若届时晶圆的回报仍无法重新超越DDR5，SK海力士在美股市场的融资将难以提升其投资回报率，其美股溢价也将随之收缩。
历史上，存储行业几乎难逃景气周期，最终都因为扩产导致供过于求。摩根士丹利和各大投资银行也曾警告，内存本质上仍然是一种周期性商品，“服务提供商”溢价仅在供应短缺时才会存在。如今，随着越来越多晶圆厂陆续建成，这一轮由AI驱动的高景气，是否会重演“供给过剩、价格回落”的传统周期？
谭娅认为，在AI时代，存储芯片的周期性仍会存在，但相比传统的波动周期，其幅度将更为平缓，原因在于，需求方已通过长期协议提前锁定需求量和价格，在一定程度上能够平滑周期的剧烈波动。
李徽徽也表示，如今市场对存储芯片的热烈追捧，并非在于买芯片本身，而在于买“未来产能的优先使用权”。所以，通用存储还是由周期主导，而在高端DDR和HBM的定价逻辑里，已经被叠加了一笔安全溢价。
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责任编辑：江钰涵
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